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工控機內(nèi)存的分支:GDDR顯存與LPDDR內(nèi)存

作者:東田工控時間:2023-04-19 11:30:2518420 次瀏覽

信息摘要:

  今天來給大家介紹一下工控機內(nèi)存的分支:GDDR顯存與LPDDR內(nèi)存。

  在偶爾接觸電腦的人群中,很多人經(jīng)常會被GDDR和LPDDR搞糊涂。其實這兩者沒有什么關系,它們有著自己的發(fā)展路線,只是有時候會有一些交叉。比如GDDR2是DDR2內(nèi)存的優(yōu)化版本,而GDDR3內(nèi)存基本上原封不動照搬了DDR3顆粒,后續(xù)的GDDR4、GDDR5、GDDR5X都是進一步優(yōu)化的GDDR3。

內(nèi)存.png

       GDDR6的變化更大一些,每個芯片配置了兩條x8/x16通道,而GDDR5僅有一條通道,此外電壓下降到1.35V,耗能降低了35%左右,因此獲得了和HBM甚至HBMM2顯存一較高下的能力。同時它的針腳數(shù)量也比GDDR5X有所減少,使用、生產(chǎn)都更加方便。

  當然與DDR內(nèi)存顆粒相比,GDDR還是有一些改變的,比如修改了外部接口,使用更高的集成度,可以使用更高的集成度,可以用更少的顆粒提供足夠的帶寬,但在一定程度上犧牲了延遲,尺寸也略微大一些。GDDR還會盡量提升運行效率,獲得更高的等效頻率,同時降低功耗。當然這些能力除了對架構(gòu)、工藝的修改外,也是因為顯存利潤較高,所以廠商也更傾向于在GDDR顆粒的制造中投入更新的技術(shù)、制程。

內(nèi)存條.png

  至于LPDDR系列,則是LowPowerDoubleDataRateSDRAM(低功耗DDR內(nèi)存)的簡稱,它們的技術(shù)、架構(gòu)和同代DDR內(nèi)存基本相同,但使用非常低的電壓,如LPDDR4使用1.1V電壓,使其功耗大幅下降。

  LPDDR和低電壓DDRN內(nèi)存如DDR3L也不一樣,其電壓更低,功耗也更小,因此平臺定位就完全不同,LPDDR主要用于手機、平板電腦等設備,而DDRN則和普通DDR內(nèi)存的應用方式基本相同,主要用于筆記本電腦,也大量用于臺式電腦與工控機中。

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