今天給大家介紹一下工控機BIOS常見的內(nèi)存設(shè)置。目前的主流平臺已經(jīng)基本普及DDR4內(nèi)存，我們下面的說明均以DDR4內(nèi)存為例。

　　ExtremeMemoryProfile[X.M.P.]：

　　這是一種內(nèi)存認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，可以直接選擇內(nèi)存的XMP狀態(tài)，即可自動設(shè)定為更佳運行模式。

　　DRAMReferenceclock：

　　內(nèi)存參考源時鐘，可以看作是內(nèi)存的“外頻”。目前的高頻內(nèi)存實際上是從這一基本頻率進(jìn)行翻倍得到的。由于DDR4的倍頻設(shè)置比較復(fù)雜，建議使用Auto模式，需要修改頻率的時候直接設(shè)置XMP或者內(nèi)存工作頻率即可。

　　DRAMFrequency：

　　內(nèi)存工作頻率，即DDR4的等效工作頻率，例如DDR42666的頻率為2666MHz，也有些主板會標(biāo)注為一半，即DDR42666設(shè)置為1333，DDR42800則設(shè)置為1400。

　　PrimaryTiming：

　　時序，內(nèi)存的響應(yīng)時間等工作細(xì)節(jié)，可調(diào)節(jié)項目一半包括CL、tRP、tRCD、tRAS。在一些內(nèi)存的參數(shù)貼紙上會標(biāo)注有相關(guān)信息。

　　CASLatency：

　　內(nèi)存CL，也稱tCL值。這是發(fā)送給內(nèi)存地址的數(shù)據(jù)起始延遲，是最影響內(nèi)存性能的一個時序參數(shù)，直接影響到內(nèi)存的延遲。

　　RAStoCASDelay：

　　tRCD值，打開內(nèi)存行和訪問內(nèi)存列的延遲周期，一般比前兩個值高1-2。

　　RowPrecharge：

　　tRP值，RAStoCASDelay的充電周期通常和RAStoCAsdelay設(shè)置的值一樣。

　　RASActiveTime：

　　trAs值，內(nèi)存顆粒激活與發(fā)出內(nèi)存充電指令的周期。這個參數(shù)必須比前兩個值加起來大比如內(nèi)存為16-16-16-36，那么最后這個值必須比16+16=32要大。通常情況下為了穩(wěn)定性，還要再稍微加一些周期，比如設(shè)置在36。

　　以上就是我今天給大家介紹的工控機BIOS常見的內(nèi)存設(shè)置。

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